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狠狠射影院 音尘称三星第 2 代3nm GAA 工艺良率已改善

发布日期:2024-12-14 14:26    点击次数:122

狠狠射影院 音尘称三星第 2 代3nm GAA 工艺良率已改善

IT 之家 12 月 12 日音尘,韩媒 chosun 昨日(12 月 11 日)发布博文狠狠射影院,报说念称三星电子高管败露,第 2 代 3nm GAA(Gate-All-Around)工艺参预褂讪阶段,并称 System SLI 和代工场功绩部之间已完毕"相互推诿职守",改而配合鼓舞新芯片商用。

Exynos 2500 的研发筹商是 Galaxy S25 系列,但受三星晶圆代工( Foundry)功绩部 3 纳米制程良率低下的制约,以及性能方面过时于高通骁龙系列的要素,导致悉数出动 AP 业务堕入危急。

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而最新音尘称三星照旧管 3 纳米良率问题,为 Exynos 2500 的诈欺铺平了说念路,但敷陈中并未说起具体良率比例。

图源:三星

三星电子高管向该媒体败露,IT 之家翻译如下:

在 3 纳米第 2 代晶圆代工工艺中,初度诈欺了全环绕晶体管(GAA)手艺,如确实量产方面碰到了一些不毛。

但当前工艺照旧褂讪,开动量产仅仅时刻问题。由于初期产量不及,Galaxy S25 系列可能难以搭载该手艺,但 Z Flip 系列(应该是指 Galaxy Z Flip7 和 Galaxy Z Flip FE)完满不错搭载该芯片。

一直以来,Exynos 2500 的营业化之路并不堪利狠狠射影院,晶圆代工功绩部和系统 LSI 功绩部之间相互推诿职守是事实。然而当前,为了褂讪工艺,两边已达成条约,最大适度地加强配合。



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